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芯科普 | 一文了解DDR3/DDR4/LPDDR4的接口差异
2023年08月18日
DDR3/DDR4/LPDDR4三者的不同点从外部来看主要是通过不同的接口来实现。因此我们从接口实现上来看这三者之间的差异。
DDR3的接口为SSTL(Stub Series Terminated Logic),匹配电阻上拉到VDDQ/2。
DDR4匹配电阻上拉到VDDQ,可称为POD(Pseudo Open Drain),用以减少IO电流消耗。对DDR4的POD来说,drive High(logic level ”1” )几乎不耗电,可以用这特点搭配DBI(Data bus inversion)来降低功耗。当一个字节里的 ”0” bits比 ”1” bits多时,可以使能DBI,将整个字节的“0”和“1”反转,这样 “1” bits就会比“0” bits多,达到省电的效果。
LPDDR4的匹配电阻下拉到VSSQ, 称为LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic), 这样可以更省电,LPDDR4靠NMOS 晶体管pull up,也可以工作在更低的电压。
从上述DDR3到LPDDR4接口设计的演变的呈现,其目的主要是是为了满足产品对低功耗的要求,因此其工作电压也变得越来越低。
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